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BSS138W-7-F  与  BSS138W E6433  区别

型号 BSS138W-7-F BSS138W E6433
唯样编号 A-BSS138W-7-F A-BSS138W E6433
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 小信号MOSFET
描述 Dual N-Channel 50 V 3.5 Ohm Surface Mount Enhancement Mode Transistor SOT-323 MOSFET N-CH 60V 280MA SOT323-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 1.35mm -
功率耗散(最大值) - 500mW(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs 3.5Ω -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 43pF @ 25V
栅极电压Vgs 500mV -
正向跨导 - 最小值 100mS -
封装/外壳 SC-70,SOT-323 SC-70,SOT-323
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 200mA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 1.5nC @ 10V
配置 Single -
长度 2.2mm -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 3.5 欧姆 @ 220mA,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
高度 1mm -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 50V -
Pd-功率耗散(Max) 200mW -
典型关闭延迟时间 20ns -
FET类型 - N 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 1.4V @ 26uA
系列 BSS138 -
通道数量 1Channel -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 50pF @ 10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 280mA(Ta)
漏源电压(Vdss) - 60V
典型接通延迟时间 20ns -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BSS138W-7-F Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

SC-70,SOT-323 2.2mm

暂无价格 0 当前型号
BSS138W-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

SOT-323

暂无价格 0 对比
BSS138W E6433 Infineon  数据手册 小信号MOSFET

SC-70,SOT-323

暂无价格 0 对比

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